自從20年前第一批商用產品問世，GaN在射頻功率應用領域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時出現，但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導了RF GaN市場，已滲透到4G LTE無線基礎設施市場，預計將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構中。

     在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下，預計到2024年RF GaN整體市場規模將增長至20億美元。過去十年，全球對電信基礎設施的投資一直很穩定，并且，中國政府的投入近年持續增長。在這個穩定的市場中，更高的頻率趨勢，為RF GaN在5G網絡頻率低于6GHz（sub-6Ghz）的功率放大器（PA）中找到了用武之地。

     隨著技術的發展，終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵（GaN）第三代半導體材料的快速發展。